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RB481Y

更新时间: 2024-10-30 03:37:55
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罗姆 - ROHM 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
4页 157K
描述
Schottky barrier diode

RB481Y 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:End Of Life零件包装代码:SC-75A
包装说明:R-PDSO-F4针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.5
其他特性:HIGH RELIABILITY配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.28 VJESD-30 代码:R-PDSO-F4
JESD-609代码:e2湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:4
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:0.1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:30 V最大反向电流:30 µA
反向测试电压:10 V子类别:Other Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:Tin/Copper (Sn/Cu)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

RB481Y 数据手册

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RB481Y  
Diodes  
Schottky barrier diode  
RB481Y  
zApplications  
z Dimensions (Unit : mm)  
z Land size figure (Unit : mm)  
0.5  
Low current rectification  
1.6±0.05  
0.22±0.05  
0.13±0.05  
(4)  
(3)  
zFeatures  
1) Ultra Small power mold type. (EMD4)  
2) Low VF  
0~0.1  
1.0  
3) High reliability.  
(1)  
(2)  
EMD4  
0.5  
0.5  
1.0±0.1  
0.5±0.05  
zConstruction  
Silicon epitaxial planar  
zStructure  
ROHM : EMD4  
JEITA : SC-75A Size  
dot (year week factory)  
z Taping specifications (Unit : mm)  
φ1.5±0.1  
0
2.0±0.05  
4.0±0.1  
0.3±0.1  
ꢀꢀꢀꢀꢀ  
1PIN  
φ0.8±0.1  
1.65±0.1  
4.0±0.1  
0.65±0.1  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Limits  
Symbol  
VR  
Unit  
V
mA  
A
Reverse voltage  
30  
100  
1
Average rectified forward current*1)  
Forward current surge peak 60Hz1cyc)(*1)  
Junction temperature  
Io  
IFSM  
Tj  
125  
Storage temperature  
-40 to +125  
Tstg  
(*1) Rating of per diode  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Forward voltage  
Reverse current  
Conditions  
IF=1mA  
IF=10mA  
Symbol  
VF1  
VF2  
VF3  
IR  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
-
-
-
-
-
-
-
-
0.28  
0.33  
0.43  
30  
V
V
IF=100mA  
VR=10V  
V
µA  
Rev.C  
1/3  

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