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RB481Y-90

更新时间: 2024-10-30 03:10:31
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罗姆 - ROHM 整流二极管肖特基二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 154K
描述
Schottky barrier diode

RB481Y-90 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:End Of Life零件包装代码:SC-75A
包装说明:R-PDSO-F4针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.74
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.61 V
JESD-30 代码:R-PDSO-F4JESD-609代码:e2
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:4最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:0.1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:90 V
最大反向电流:100 µA反向测试电压:90 V
子类别:Other Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10Base Number Matches:1

RB481Y-90 数据手册

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RB481Y-90  
Diodes  
Schottky barrier diode  
RB481Y-90  
zApplications  
zDimensions (Unit : mm)  
zLand size figure (Unit : mm)  
Low current rectification  
0.5  
1.6±0.05  
0.22±0.05  
0.13±0.05  
zFeatures  
(4)  
(3)  
1) Ultra small mold type. (EMD4)  
2) Low VF  
3) High reliability  
0~0.1  
1.0  
EMD4  
(1)  
(2)  
zConstruction  
Silicon epitaxial planar  
0.5  
0.5  
1.0±0.1  
0.5±0.05  
zStructure  
ROHM : EMD4  
JEITA : SC-75A Size  
dot (year week factory)  
zTaping dimensions (Unit : mm)  
φ1.5±0.1  
0
2.0±0.05  
4.0±0.1  
0.3±0.1  
ꢀꢀꢀꢀꢀ  
1PIN  
φ0.8±0.1  
1.7±0.05  
4.0±0.1  
0.65±0.1  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Limits  
90  
Symbol  
VRM  
VR  
Unit  
V
Reverse voltage (repetitive peak)  
Reverse voltage (DC)  
90  
V
Average rectified forward current*1)  
100  
1
Io  
IFSM  
Tj  
mA  
A
Forward current surge peak 60Hz1cyc)(*1)  
Junction temperature  
125  
Storage temperature  
-40 to +125  
Tstg  
(*1) Rating of per diode  
zElectrical characteristic (Ta=25°C)  
Parameter  
Forward voltage  
Reverse current  
Conditions  
Symbol  
Min.  
Typ.  
0.55  
20  
Max.  
0.61  
100  
Unit  
V
VF  
IR  
IF=100mA  
VR=90V  
-
-
µA  
Rev.C  
1/3  

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