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RB481KTL

更新时间: 2024-10-30 13:12:51
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
2页 63K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 30V V(RRM),

RB481KTL 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not RecommendedReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:8.08
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.5 V
湿度敏感等级:1最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压:30 V最大反向电流:30 µA
子类别:Other Diodes表面贴装:YES
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

RB481KTL 数据手册

 浏览型号RB481KTL的Datasheet PDF文件第2页 
RB481K  
Diodes  
Schottky Barrier Diode  
RB481K  
!Applications  
!External dimensions (Units: mm)  
Low current rectification  
1.25±0.1  
0.6 0.65  
0.3±0.1 0.2±0.1  
0.9±0.1  
0.7  
!Features  
1) Compact size.  
(1) (4)  
3 U  
0~0.1  
2) High reliability.  
(2) (3)  
3) Extremely low forward voltage.  
4) This is a composite component and is ideal for  
reducing the number of components used.  
0.2±0.1 0.2±0.1  
0.65 0.65  
0.15±0.05  
1.25±0.1  
2.0±0.2  
(1)  
(4)  
(3)  
!Construction  
Silicon epitaxial planar  
(2)  
ROHM : UMD4  
EIAJ : SC - 82  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Peak reverse voltage  
DC reverse voltage  
Mean rectifying current  
Peak forward surge current  
Junction temperature  
Storage temperature  
60 Hz for 1  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
V
RM  
30  
30  
VR  
V
I
O
0.2  
A
I
FSM  
1
A
Tj  
125  
°C  
°C  
Tstg  
40~+125  
!Electrical characteristics (Ta=25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Forward voltage  
Symbol  
Min.  
Typ.  
0.18  
0.25  
0.34  
Max.  
0.28  
0.33  
0.43  
Unit  
V
Conditions  
VF  
VF  
VF  
1
2
3
I
I
I
I
F
=1mA  
F
V
=10mA  
V
F=100mA  
F
V
F
4
0.40  
3.6  
0.50  
30  
V
=200mA  
µA  
Reverse current  
I
R
V
R=10V  

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