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RB481K

更新时间： 2024-09-18 14:54:59

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江苏长电/长晶 - CJ		/
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SOT-353

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RB481K 数据手册

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-353 Plastic-Encapsulate Diodes

SOT-353

RB481K

SCHOTTLKY BARRIER DIODE

FEATURES

Low current rectification

High reliability

MARKING: 3U

Solid dot = Green molding compound device.

Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃

Parameter

Peak reverse voltage

Symbol

V_RM

V_R

Limit

Unit

DC reverse

Non-repetitive Peak Forward Surge

Current @t=8.3ms

I_FSM

I_O

Mean rectifying current

0.2

Power Dissipation

150

Thermal Resistance Junction to Ambient

R_θJA

667

℃/W

Operating Junction Temperature Range

T_j

℃

-40 ~ +125

-55 ~ +150

Storage Temperature Range

T_stg

℃

Electrical Ratings @Ta=25℃

Parameter

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Conditions

0.28

0.33

0.43

0.5

I_F=1mA

I_F=10mA

I_F=100mA

I_F=200mA

Forward voltage

Reverse current

V_F

I_R

μA

V_R=10V

www.jscj-elec.com

Rev. - 2.1

12 3 4

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