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RB480K

更新时间： 2024-09-17 09:37:55

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金誉半导体 - HTSEMI		二极管
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SCHOTTLKY BARRIER DIODE

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RB480K 数据手册

RB480K

SOT-353

SCHOTTLKY BARRIER DIODE

FEATURES

Low current rectification

High reliability

MARKING: 3T

Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @T_A=25℃

Parameter

Peak reverse voltage

Symbol

V_RM

V_R

Limits

Unit

DC reverse

Peak forward current

Mean rectifying current

Junction temperature

Storage temperature

I_FM

I_O

0.1

T_j

125

℃

T_stg

-40~+125

Electrical Ratings @T_A=25℃

Parameter

Symbol

V_F

Min.

Typ.

Max.

Unit

Conditions

450

600

I_F=10mA

I_F=100mA

V_R=10V

V_R=40V

V_R=0V

Forward voltage

Reverse current

I_R

µA

Capacitance between terminals

C_T

V_R=10V,f=1MHz

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

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