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R1WV3216RSD-7SI

更新时间： 2024-11-16 03:38:51

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瑞萨 - RENESAS		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
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16页	122K
描述
32Mb superSRAM (2M wordx16bit)

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R1WV3216RSD-7SI 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSSOP, TSSOP52,.4,16	针数：	52
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.75
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G52	JESD-609代码：	e2
长度：	10.79 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	2	功能数量：	1
端子数量：	52	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP52,.4,16	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.07 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.4 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	8.89 mm	Base Number Matches：	1

R1WV3216RSD-7SI 数据手册

R1WV3216R Series

REJ03C0215-0100Z

Rev.1.00

32Mb superSRAM (2M wordx16bit)

2004.4.13

Description

The R1WV3216R Series is a family of low voltage 32-Mbit static RAMs organized as 2097152-words by 16-bit,

fabricated by Renesas's high-performance 0.15um CMOS and TFT technologies.

The R1WV3216R Series is suitable for memory applications where a simple interfacing , battery operating and

battery backup are the important design objectives.

The R1WV3216R Series is made by stacked-micro-package technology and two chips of 16Mbit superSRAMs

are assembled in one package.

The R1WV3216R Series is packaged in a 52pin micro thin small outline mount device[µTSOP / 10.79mm x

10.49mm with the pin-pitch of 0.4mm] or a 48balls fine pitch ball grid array [f-BGA / 7.5mmx8.5mm with the ball-pitch

of 0.75mm and 6x8 array] . It gives the best solution for a compaction of mounting area as well as flexibility of wiring

pattern of printed circuit boards.

Features

• Single 2.7-3.6V power supply

• Small stand-by current:4µA (3.0V, typ.)

• Data retention supply voltage =2.0V

• No clocks, No refresh

• All inputs and outputs are TTL compatible.

• Easy memory expansion by CS1#, CS2, LB# and UB#

• Common Data I/O

• Three-state outputs: OR-tie capability

• OE# prevents data contention on the I/O bus

• Process technology: 0.15um CMOS

Rev.1.00 2004.4.13

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R1WV3216RSD-8S	RENESAS	获取价格	32Mb superSRAM (2M wordx16bit)
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R1WV6416RBG-5SR	RENESAS	获取价格	64Mb Advanced LPSRAM (4M word x 16bit / 8M word x 8bit)
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