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R1WV3216RSD-7SR

更新时间： 2024-09-29 03:38:51

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瑞萨 - RENESAS		静态存储器
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16页	122K
描述
32Mb superSRAM (2M wordx16bit)

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R1WV3216RSD-7SR 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSSOP, TSSOP52,.4,16	针数：	52
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.71
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G52	长度：	10.79 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	52	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP52,.4,16	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.4 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	8.89 mm

R1WV3216RSD-7SR 数据手册

R1WV3216R Series

REJ03C0215-0100Z

Rev.1.00

32Mb superSRAM (2M wordx16bit)

2004.4.13

Description

The R1WV3216R Series is a family of low voltage 32-Mbit static RAMs organized as 2097152-words by 16-bit,

fabricated by Renesas's high-performance 0.15um CMOS and TFT technologies.

The R1WV3216R Series is suitable for memory applications where a simple interfacing , battery operating and

battery backup are the important design objectives.

The R1WV3216R Series is made by stacked-micro-package technology and two chips of 16Mbit superSRAMs

are assembled in one package.

The R1WV3216R Series is packaged in a 52pin micro thin small outline mount device[µTSOP / 10.79mm x

10.49mm with the pin-pitch of 0.4mm] or a 48balls fine pitch ball grid array [f-BGA / 7.5mmx8.5mm with the ball-pitch

of 0.75mm and 6x8 array] . It gives the best solution for a compaction of mounting area as well as flexibility of wiring

pattern of printed circuit boards.

Features

• Single 2.7-3.6V power supply

• Small stand-by current:4µA (3.0V, typ.)

• Data retention supply voltage =2.0V

• No clocks, No refresh

• All inputs and outputs are TTL compatible.

• Easy memory expansion by CS1#, CS2, LB# and UB#

• Common Data I/O

• Three-state outputs: OR-tie capability

• OE# prevents data contention on the I/O bus

• Process technology: 0.15um CMOS

Rev.1.00 2004.4.13

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R1WV3216RSD-7SR 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
R1WV3216RSD-7SI	RENESAS	完全替代	32Mb superSRAM (2M wordx16bit)
R1LV3216RSD-5SI	RENESAS	功能相似	2MX16 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO52, 10.79 X 10.49 MM, 0.40 MM PITCH, PLASTIC, MICRO, TSOP2-

与R1WV3216RSD-7SR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
R1WV3216RSD-7SW	RENESAS	获取价格	32Mb superSRAM (2M wordx16bit)
R1WV3216RSD-8S	RENESAS	获取价格	32Mb superSRAM (2M wordx16bit)
R1WV3216RSD-8SI	RENESAS	获取价格	32Mb superSRAM (2M wordx16bit)
R1WV3216RSD-8SR	RENESAS	获取价格	32Mb superSRAM (2M wordx16bit)
R1WV3216RSD-8SW	RENESAS	获取价格	32Mb superSRAM (2M wordx16bit)
R1WV6416R	RENESAS	获取价格	64Mb Advanced LPSRAM (4M word x 16bit / 8M word x 8bit)
R1WV6416RBG-5SI	RENESAS	获取价格	64Mb Advanced LPSRAM (4M word x 16bit / 8M word x 8bit)
R1WV6416RBG-5SR	RENESAS	获取价格	64Mb Advanced LPSRAM (4M word x 16bit / 8M word x 8bit)
R1WV6416RBG-7SI	RENESAS	获取价格	64Mb Advanced LPSRAM (4M word x 16bit / 8M word x 8bit)
R1WV6416RBG-7SR	RENESAS	获取价格	64Mb Advanced LPSRAM (4M word x 16bit / 8M word x 8bit)

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