是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TSOP1 |
包装说明: | TSSOP, TSSOP48,.8,20 | 针数: | 48 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.67 |
最长访问时间: | 70 ns | 备用内存宽度: | 8 |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G48 |
长度: | 18.4 mm | 内存密度: | 67108864 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 48 | 字数: | 4194304 words |
字数代码: | 4000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 4MX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSSOP |
封装等效代码: | TSSOP48,.8,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 3/3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大待机电流: | 0.000024 A | 最小待机电流: | 2.7 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.06 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 12 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
R1WV6416RSA-7SI | RENESAS |
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64Mb Advanced LPSRAM (4M word x 16bit / 8M word x 8bit) | |
R1WV6416RSA-7SR | RENESAS |
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64Mb Advanced LPSRAM (4M word x 16bit / 8M word x 8bit) | |
R1WV6416RSD-5SI | RENESAS |
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64Mb Advanced LPSRAM (4M word x 16bit / 8M word x 8bit) | |
R1WV6416RSD-5SR | RENESAS |
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64Mb Advanced LPSRAM (4M word x 16bit / 8M word x 8bit) | |
R1WV6416RSD-7SI | RENESAS |
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64Mb Advanced LPSRAM (4M word x 16bit / 8M word x 8bit) | |
R1WV6416RSD-7SR | RENESAS |
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64Mb Advanced LPSRAM (4M word x 16bit / 8M word x 8bit) | |
R1Z-05 | ETC |
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1kVDC 2kVDC Isolation | |
R1Z-0505 | ETC |
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CONV DC/DC 1W 5VIN 5VOUT SMD | |
R1Z-0505/H | ETC |
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CONV DC/DC 1W 5V IN 5V OUT | |
R1Z-0505/HP | ETC |
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CONV DC/DC 1W 05VIN 05VOUT SMD |