Datasheet > 存储 > SRAM> R1WV6416RSA-7SI

R1WV6416RSA-7SI

更新时间： 2024-11-16 06:06:23

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瑞萨 - RENESAS		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
18页	197K
描述
64Mb Advanced LPSRAM (4M word x 16bit / 8M word x 8bit)

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R1WV6416RSA-7SI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP1
包装说明：	TSSOP, TSSOP48,.8,20	针数：	48
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.86
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	70 ns
备用内存宽度：	8	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	长度：	18.4 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP48,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.000024 A
最小待机电流：	2.7 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.06 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

R1WV6416RSA-7SI 数据手册

Preliminary

R1WV6416R Series

64Mb Advanced LPSRAM (4M word x 16bit / 8M word x 8bit)

REJ03C0368-0001

Preliminary

Rev.0.01

2008.03.24

Description

The R1WV6416R Series is a family of low voltage 64-Mbit static RAMs organized as 4,194,304-word by

16-bit, fabricated by Renesas’s high-performance 0.15um CMOS and TFT technologies.

The R1WV6416R Series is suitable for memory applications where a simple interfacing, battery operating

and battery backup are the important design objectives.

The R1WV6416R Series is provided in 48-pin thin small outline package [TSOP (I): 12mm x 20mm with

pin pitch of 0.5mm], 52-pin micro thin small outline package [µTSOP (II): 10.79mm x 10.49mm with pin pitch

of 0.4mm] and 48-ball fine pitch ball grid array [f-BGA] package. It gives the best solution for compaction of

mounting area as well as flexibility of wiring pattern of printed circuit boards.

Features

•

Single 2.7~3.6V power supply

Small stand-by current: 8 µA (3.0V, typical)

No clocks, No refresh

All inputs and outputs are TTL compatible.

Easy memory expansion by CS1#, CS2, LB# and UB#

Common Data I/O

Three-state outputs: OR-tie Capability

OE# prevents data contention on the I/O bus

Ordering Information

Type No.

Access time

55 ns^*1

70 ns

Package

R1WV6416RSA-5S%

R1WV6416RSA-7S%

R1WV6416RSD-5S%

R1WV6416RSD-7S%

R1WV6416RBG-5S%

R1WV6416RBG-7S%

12mm x 20mm 48-pin plastic TSOP (I)

(normal-bend type) (48P3R)

350 mil 52-pin plastic μ-TSOP (II)

(normal-bend type) (52PTG)

55 ns^*1

70 ns

55 ns^*1

70 ns

f-BGA 0.75mm pitch 48-ball

Note1. 55ns parts can be supported under the condition of the input timing limitation toward SRAM on customer’s

system. Please contact our sales office in your region, in case of the inquiry for 55ns parts.

% - Temperature version; see table below

Temperature Range

0 ~ +70 °C

-40 ~ +85 °C

REJ03C0368-0001, Rev.0.01, 2008.03.24

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R1WV6416RSD-5SR	RENESAS	获取价格	64Mb Advanced LPSRAM (4M word x 16bit / 8M word x 8bit)
R1WV6416RSD-7SI	RENESAS	获取价格	64Mb Advanced LPSRAM (4M word x 16bit / 8M word x 8bit)
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R1Z-05	ETC	获取价格	1kVDC 2kVDC Isolation
R1Z-0505	ETC	获取价格	CONV DC/DC 1W 5VIN 5VOUT SMD
R1Z-0505/H	ETC	获取价格	CONV DC/DC 1W 5V IN 5V OUT
R1Z-0505/HP	ETC	获取价格	CONV DC/DC 1W 05VIN 05VOUT SMD
R1Z-0505/HP-R	ETC	获取价格	CONV DC/DC 1W 5V IN 5V OUT

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