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Q67050-A4286-A101

更新时间： 2024-01-24 18:13:47

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英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
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IGBT Chip in NPT-technology

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Q67050-A4286-A101 数据手册

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SIGC223T120R2CL

IGBT Chip in NPT-technology

FEATURES:

This chip is used for:

IGBT-Modules

BSM150GB120DLC

1200V NPT technology

180µm chip

short circuit prove

positive temperature coefficient

easy paralleling

Applications:

drives

Chip Type

V_CE

I_Cn

Die Size

Package

Ordering Code

Q67050-A4286-

A101

14.4 x 15.5 mm²

sawn on foil

SIGC223T120R2CL

1200V 150A

MECHANICAL PARAMETER:

mm²

Raster size

14.4 x 15.5

223.2 / 189.9

8x( 3.67x6.77 )

1.49 x 1.51

180

Area total / active

Emitter pad size

Gate pad size

Thickness

µm

deg

Wafer size

150

Flat position

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Emitter metalization

54 pcs

Photoimide

3200 nm Al Si 1%

1400 nm Ni Ag –system

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Collector metalization

Die bond

electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, £500µm

Reject Ink Dot Size

Æ 0.65mm ; max 1.2mm

store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month at an ambient temperature of 23°C

Recommended Storage Environment

Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L 7121-P, Edition 2, 03.09.2003

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