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Q67050-A4338-A101

更新时间： 2024-02-14 00:14:42

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英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
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IGBT Chip in NPT-technology

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SIGC42T120CS2

IGBT Chip in NPT-technology

FEATURES:

1200V NPT technology 175µm chip

low turn-off losses

short tail current

positive temperature coefficient

easy paralleling

This chip is used for:

IGBT Modules

Applications:

drives, SMPS, resonant

applications

Chip Type

V_CE

I_Cn

Die Size

Package

Ordering Code

Q67050-

A4338-A101

SIGC42T120CS2 1200V 25A

6.59 x 6.49 mm²

sawn on foil

MECHANICAL PARAMETER:

mm²

Raster size

6.59 x 6.49

Emitter pad size

Gate pad size

2 x (2.18 x 1.58)

1.06 x 0.65

42.8 / 33.5

180

Area total / active

Thickness

µm

grd

Wafer size

150

Flat position

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Emitter metallization

334 pcs

Photoimide

3200 nm Al Si 1%

1400 nm Ni Ag –system

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Collector metallization

Die bond

electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, <500µm

Reject Ink Dot Size

Æ 0.65mm ; max 1.2mm

store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month at an ambient temperature of 23°C

Recommended Storage Environment

Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L 7151-T, Edition 2, 03.09.2003

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