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Q67060-S6087-A101

更新时间： 2024-02-09 21:36:32

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英飞凌 - INFINEON		开关电源开关
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Smart Lowside Power Switch

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HITFET^ÒBTS 3142 D

Smart Lowside Power Switch

Features

Product Summary

Drain source voltage

On-state resistance

Nominal load current

Clamping energy

• Logic Level Input

• Input Protection (ESD)

• Thermal shutdown

• Overload protection

• Short circuit protection

• Overvoltage protection

• Current limitation

mΩ

DS(on)

4.6

3.5

D(Nom)

• Analog driving possible

Application

• All kinds of resistive, inductive and capacitive loads in switching

or linear applications

• µC compatible power switch for 12 V DC applications

• Replaces electromechanical relays and discrete circuits

General Description

N channel vertical power FET in Smart SIPMOS technology. Fully protected by embedded

protection functions.



Vbb

Drain



HITFET

Pin 2 and 4 (TAB)

Current

Limitation

Overvoltage-

Protection

Gate-Driving

Unit

Pin 1

Over-

temperature

Protection

Overload

Protection

Short circuit

Protection

ESD

Pin 3

Source

Page 1

2002-09-04

12 3 4 5 6 7...10

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