Datasheet > Q67050-A4330-A101

Q67050-A4330-A101

更新时间： 2024-01-24 12:17:05

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	77K
描述
IGBT3 Chip

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

Q67050-A4330-A101 数据手册

浏览型号Q67050-A4330-A101的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号Q67050-A4330-A101的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号Q67050-A4330-A101的Datasheet PDF文件第4页

SIGC04T60

IGBT³Chip

FEATURES:

This chip is used for:

600V Trench & Field Stop technology

low V_CE(sat)

low turn-off losses

short tail current

positive temperature coefficient

easy paralleling

power module

discrete components

Applications:

drives

white goods

resonant applications

Chip Type

SIGC04T60

V_CE

I_Cn

Die Size

Package

sawn on foil

Ordering Code

Q67050-

A4330-A101

600V

1.98 x 1.96 mm²

MECHANICAL PARAMETER:

Raster size

1.98 x 1.96

Emitter pad size

Gate pad size

1.254 x 1.273

mm²

0.266 x 0.266

Area total / active

Thickness

3.9 / 2.14

mm²

µm

150

Wafer size

deg

Flat position

Max. possible chips per wafer

Passivation frontside

Emitter metallization

3779 pcs

Photoimide

3200 nm AlSiCu

1400 nm Ni Ag –system

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Collector metallization

Die bond

electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, <500µm

Reject ink dot size

Æ 0.65mm ; max 1.2mm

store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month at an ambient temperature of 23°C

Recommended storage environment

Edited by INFINEON Technologies AI PS DD CLS, L7491A, Edition 2, 27.01.2005

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与Q67050-A4330-A101相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
Q67050-A4331-A101	INFINEON	获取价格	IGBT3 Chip
Q67050-A4335-A101	INFINEON	获取价格	IGBT3 Chip
Q67050-A4337-A101	INFINEON	获取价格	IGBT3 Chip
Q67050-A4338-A101	INFINEON	获取价格	IGBT Chip in NPT-technology
Q67050-A4339-A101	INFINEON	获取价格	IGBT3 Chip
Q67050-A4341-A101	INFINEON	获取价格	IGBT-3 Chip
Q67050-A4343-A101	INFINEON	获取价格	IGBT3 Chip
Q67050-A4344-A101	INFINEON	获取价格	IGBT3 Chip
Q67050-A4345-A101	INFINEON	获取价格	IGBT3 Chip
Q67050-A4346-A101	INFINEON	获取价格	IGBT3 Chip