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Q67050-A4267-A101

更新时间： 2024-02-27 00:17:42

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英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
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4页	71K
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IGBT3 Chip

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Q67050-A4267-A101 数据手册

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SIGC57T120R3L

IGBT³Chip

FEATURES:

This chip is used for:

· power module

1200V Trench + Field Stop technology

120µm chip

low turn-off losses

short tail current

positive temperature coefficient

easy paralleling

Applications:

drives

Chip Type

V_CE

I_Cn

Die Size

7.6 x 7.53 mm²

Package

Ordering Code

Q67050-

A4267-A101

SIGC57T120R3L 1200V 50A

sawn on foil

MECHANICAL PARAMETER:

Raster size

7.6 x 7.53

6.08 x 6.05

1.14 x 1.14

57.2 / 42.8

120

Emitter pad size ( include gate pad )

Gate pad size

Area total / active

mm²

µm

Thickness

Wafer size

150

grd

Flat position

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Emitter metallization

246 pcs

Photoimide

3200 nm AlSiCu

1400 nm Ni Ag –system

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Collector metallization

Die bond

electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, <500µm

Reject Ink Dot Size

Æ 0.65mm ; max 1.2mm

store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month at an ambient temperature of 23°C

Recommended Storage Environment

Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L7661B, Edition 2, 04.09.03

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