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PUMD10

更新时间： 2024-02-06 05:18:55
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安世 - NEXPERIA /
页数 文件大小 规格书
15页 1013K
描述
50 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistor; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 47 kΩProduction

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PUMD10 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.71其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN AND PNP
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：230 MHzBase Number Matches：1

PUMD10 数据手册

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PUMD10  
50 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistor;  
R1 = 2.2 kΩ, R2 = 47 kΩ  
1 October 2022  
Product data sheet  
1. General description  
NPN/PNP double Resistor-Equipped Transistor (RET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-  
Mounted Device (SMD) plastic package.  
PNP/PNP complement: PUMB10  
NPN/NPN complement: PUMH10  
2. Features and benefits  
•
100 mA output current capability  
•
•
•
•
Built-in bias resistors  
Simplifies circuit design  
Reduces component count  
Reduces pick and place costs  
3. Applications  
•
•
•
Low current peripheral driver  
Control of IC inputs  
Replaces general-purpose transistors in digital applications  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Per transistor; for the PNP transistor (TR2) with negative polarity, where applicable  
VCEO  
collector-emitter  
voltage  
open base  
-
-
50  
V
IO  
output current  
-
-
100  
2.86  
26  
mA  
kΩ  
R1  
bias resistor 1 (input)  
bias resistor ratio  
[1]  
[1]  
1.54  
17  
2.2  
21  
R2/R1  
[1] See section "Test information" for resistor calculation and test conditions.  
 
 
 
 
 
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