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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | PLASTIC, SC-88, 6 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.73 | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN AND PNP |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PUMD12,115 | NXP |
完全替代  |
PEMD12; PUMB12 - NPN/PNP resistor-equipped tr |
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| MUN5313DW1T1G | ONSEMI |
功能相似 |
Dual Bias Resistor Transistors |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PUMD12,115 | NXP |
获取价格 |
PEMD12; PUMB12 - NPN/PNP resistor-equipped tr |
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| PUMD12,135 | NXP |
获取价格 |
PEMD12; PUMB12 - NPN/PNP resistor-equipped tr |
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| PUMD12-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
NPN/PNP resistor-equipped double transistor; |
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| PUMD12T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC- |
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| PUMD13 | NXP |
获取价格 |
NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kOHM, R2 = 47 kOHM |
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| PUMD13 | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double |
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| PUMD13,135 | NXP |
获取价格 |
PEMD13; PUMD13 - NPN/PNP resistor-equipped tr |
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| PUMD13-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
NPN/PNP resistor-equipped double transistor; |
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| PUMD14 | NXP |
获取价格 |
Low VCEsat (BISS) transistors |
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| PUMD14 | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped transi |
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