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PUMD15

更新时间： 2023-09-03 20:34:13

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安世 - NEXPERIA		PC 开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	250K
描述
50 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistor; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 4.7 kΩProduction

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PUMD15 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.78
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN AND PNP	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PUMD15 数据手册

PUMD15

50 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistor;

R1 = 4.7 kΩ, R2 = 4.7 kΩ

31 March 2023

Product data sheet

1. General description

NPN/PNP double Resistor-Equipped Transistor (RET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-

Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN/NPN complement: PUMH15

PNP/PNP complement: PUMB15

2. Features and benefits

•

100 mA output current capability

•

Built-in bias resistors

Simplified circuit design

Reduces component count

Reduces pick and place costs

AEC-Q101 qualified

3. Applications

•

Low current peripheral driver

Controlling IC inputs

Replacement of general purpose transistors in digital applications

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Per transistor

V_CEO

collector-emitter

voltage

open base

[1]

I_O

output current

[1]

[2]

100

6.1

1.2

kΩ

bias resistor 1 (input)

bias resistor ratio

3.3

0.8

4.7

R2/R1

[1] For the PNP transistor (TR2) with negative polarity.

[2] See section "Test information" for resistor calculation and test conditions.

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