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PUMD13

更新时间： 2024-09-23 11:14:07
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 893K
描述
50 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistor; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 47 kΩProduction

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PUMD13 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
Is Samacsys：N其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN AND PNP
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PUMD13 数据手册

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PUMD13  
50 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistor;  
R1 = 4.7 kΩ, R2 = 47 kΩ  
1 October 2022  
Product data sheet  
1. General description  
NPN/PNP double Resistor-Equipped Transistor (RET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-  
Mounted Device (SMD) plastic package.  
PNP/PNP complement: PUMB13  
NPN/NPN complement: PUMH13  
2. Features and benefits  
•
100 mA output current capability  
•
•
•
•
Built-in bias resistors  
Simplifies circuit design  
Reduces component count  
Reduces pick and place costs  
3. Applications  
•
•
•
Low current peripheral driver  
Control of IC inputs  
Replaces general-purpose transistors in digital applications  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Per transistor; for the PNP transistor (TR2) with negative polarity where applicable  
VCEO  
collector-emitter  
voltage  
open base  
-
-
50  
V
IO  
output current  
-
-
100  
6.1  
12  
mA  
kΩ  
R1  
bias resistor 1 (input)  
bias resistor ratio  
[1]  
[1]  
3.3  
8
4.7  
10  
R2/R1  
[1] See section "Test information" for resistor calculation and test conditions.  
 
 
 
 
 
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