PUMD15

更新时间： 2024-01-26 05:47:57

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恩智浦 - NXP		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管 PC
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10页	62K
描述
NPN/PNP resistor-equipped transistors : R1 = 4.7 k-ohm, R2 = 4.7 k-ohm

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PUMD15 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.78
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN AND PNP	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PUMD15 数据手册

PEMD15; PUMD15

NPN/PNP resistor-equipped transistors;

R1 = 4.7 kΩ, R2 = 4.7 kΩ

Rev. 02 — 25 April 2005

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

NPN/PNP Resistor-Equipped Transistors (RET).

Table 1:

Product overview

Type number

Package

Philips

PNP/PNP

complement

NPN/NPN

complement

JEITA

PEMD15

PUMD15

SOT666

SOT363

PEMB15

PUMB15

PEMH15

PUMH15

SC-88

1.2 Features

■ Built-in bias resistors

■ Simpliﬁes circuit design

■ Reduces component count

■ Reduces pick and place costs

1.3 Applications

■ Low current peripheral driver

■ Control of IC inputs

■ Replaces general-purpose transistors in digital applications

1.4 Quick reference data

Table 2:

Symbol

V_CEO

I_O

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

collector-emitter voltage

output current (DC)

bias resistor 1 (input)

bias resistor ratio

open base

100

6.1

1.2

kΩ

3.3

0.8

4.7

R2/R1

12 3 4 5 6 7...10

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PUMD15 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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