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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | PLASTIC, SC-88, 6 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.34 | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| PUMB9 | NXP | PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kW, R2 = 47 kW |
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| PUMB9 | NEXPERIA | 50 V, 100 mA PNP/PNP resistor-equipped double |
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| PUMB9,115 | NXP | PEMB9; PUMB9 - PNP/PNP resistor-equipped tran |
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| PUMB9,125 | NXP | PEMB9; PUMB9 - PNP/PNP resistor-equipped tran |
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| PUMD10 | NXP | NPN/PNP resistor-equipped transistors |
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| PUMD10 | NEXPERIA | 50 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double |
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