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PTVA042502ECV1R2XTMA1

更新时间： 2024-11-29 21:21:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 413K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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PTVA042502ECV1R2XTMA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.76外壳连接：SOURCE
配置：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS最小漏源击穿电压：105 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F4元件数量：2
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PTVA042502ECV1R2XTMA1 数据手册

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PTVA042502EC  
PTVA042502FC  
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET  
250 W, 50 V, 470 – 806 MHz  
Description  
The PTVA042502EC and PTVA042502FC LDMOS FETs are designed  
for use in power amplifier applications in the 470 MHz to 806 MHz  
frequency band. Features include high gain and thermally-enhanced  
package with bolt-down or earless flanges. Manufactured with Infineon's  
advanced LDMOS process, these devices provide excellent thermal per-  
formance and superior reliability.  
PTVA042502EC  
Package H-36248-4  
PTVA042502FC  
Package H-37248-4  
DVB-T Performance  
Efficiancy, Gain and  
IMD3 Shoulder vs Frequency  
VDD = 50 V, IDQ = 800 mA, POUT = 55 W avg  
Features  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
-23  
-25  
-27  
-29  
-31  
-33  
•ꢀ Input matched  
•ꢀ Integrated ESD protection  
•ꢀ Human Body Model Class 1C (per ANSI/  
Efficiency  
Gain  
ESDA/JEDEC JS-001)  
•ꢀ Low thermal resistance  
•ꢀ RoHS compliant  
•ꢀ Capable of withstanding a 10:1 VSWR at 55W  
average power under DVB-T signal condition  
ACPR  
ptva042502fc_g1  
450 500 550 600 650 700 750 800 850  
Frequency (MHz)  
RF Characteristics  
DVB-T (8K OFDM, 64QAM) Characteristics (tested in Infineon test fixture)  
= 50 V, I = 800 mA, ƒ = 806 MHz, input PAR = 10.5 dB (unclipped), output PAR = 7.8 dB @ 0.01% CCDF probability  
V
DD  
DQ  
Characteristic  
Average Output Power  
Gain  
Symbol  
Min  
—
Typ  
55  
Max  
—
Unit  
W
P
OUT  
G
17.5  
23  
19  
—
dB  
ps  
Drain Efficiency  
h
D
25.5  
–29.5  
—
%
Adjacent Channel Power Ratio  
ACPR  
—
–25  
dBc  
(ACPR integrated over 200 KHz BW at + 4.3 MHz offset from center frequency)  
All published data at T = 25°C unless otherwise indicated  
CASE  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!  
Data Sheet 1 of 10  
Rev. 03.2, 2017-02-09  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PTVA042502EFC INFINEON

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 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET
PTVA042502EFC_15 INFINEON

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 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET
PTVA042502EFC_16 INFINEON

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 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 25
PTVA042502FC INFINEON

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 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 25
PTVA042502FC CREE

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 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 250 W, 50 V, 470 - 806 MHz
PTVA042502FCV1R0 INFINEON

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 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 25
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