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PSMN005-75P,127 PDF预览

PSMN005-75P,127

更新时间： 2024-02-05 05:24:36
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 93K
描述
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET TO-220 3-Pin

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PSMN005-75P,127 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-220包装说明：PLASTIC, SC-46, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.21雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：75 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.005 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：230 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PSMN005-75P,127 数据手册

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PSMN005-75P/75B  
N-channel enhancement mode field-effect transistor  
Rev. 01 — 26 April 2002  
Product data  
1. Description  
N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using  
TrenchMOS™ technology.  
Product availability:  
PSMN005-75P in SOT78 (TO-220AB)  
PSMN005-75B in SOT404 (D2-PAK).  
2. Features  
■ Low on-state resistance  
■ Fast switching.  
3. Applications  
■ High frequency computer motherboard DC to DC converters  
■ OR-ing applications.  
4. Pinning information  
Table 1:  
Pinning - SOT78 and SOT404, simplified outline and symbol  
Pin  
1
Description  
gate (g)  
Simplified outline  
Symbol  
mb  
mb  
[1]  
2
drain (d)  
d
s
3
source (s)  
drain (d)  
mb  
g
2
MBB076  
1
3
MBK116  
MBK106  
1
2 3  
SOT404 (D2-PAK)  
SOT78 (TO-220AB)  
[1] It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.  
 
 
 
1234567...13

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PSMN005-75P,127 替代型号

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