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PSMN008-75B

更新时间： 2024-01-20 02:42:02
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 134K
描述
N-channel enhancement mode field-effect transistor

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PSMN008-75B 技术参数

Source Url Status Check Date：2013-06-14 00:00:00是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：PLASTIC, SC-46, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.17雪崩能效等级（Eas）：395 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：75 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.0085 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：230 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PSMN008-75B 数据手册

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PSMN008-75P; PSMN008-75B  
N-channel enhancement mode field-effect transistor  
Rev. 01 — 18 September 2000  
Product specification  
1. Description  
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using  
TrenchMOS™1 technology.  
Product availability:  
PSMN008-75P in SOT78  
PSMN008-75B in SOT404 (D2-PAK).  
2. Features  
■ Fast switching  
■ Low on-state resistance  
■ Avalanche ruggedness rated.  
3. Applications  
■ DC to DC converters  
■ Uninterruptable power supplies.  
c
c
4. Pinning information  
Table 1: Pinning - SOT78 and SOT404, simplified outline and symbol  
Pin  
1
Description  
gate (g)  
Simplified outline  
Symbol  
mb  
mb  
d
s
[1]  
2
drain (d)  
3
source (s)  
g
mb  
connected to  
drain (d)  
2
MBK106  
MBB076  
1
3
MBK116  
1
2 3  
SOT404 (D2-PAK)  
SOT78  
[1] It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.  
1. TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.  
 
 
 
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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