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PSMN008-75B PDF预览

PSMN008-75B

更新时间： 2023-09-03 20:34:56
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安世 - NEXPERIA /
页数 文件大小 规格书
12页 713K
描述
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FETProduction

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PSMN008-75B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.71雪崩能效等级（Eas）：395 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：75 V最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.0085 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PSMN008-75B 数据手册

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PSMN008-75B  
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET  
Rev. 04 — 11 December 2009  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
SiliconMAX standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in  
a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for  
use in computing, communications, consumer and industrial applications only.  
1.2 Features and benefits  
„ Higher operating power due to low  
„ Rated for avalanche ruggedness  
thermal resistance  
„ Suitable for high frequency  
applications due to fast switching  
characteristics  
„ Low conduction losses due to low  
on-state resistance  
1.3 Applications  
„ DC-to-DC convertors  
„ Uninterruptible power supplies  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Quick reference  
Symbol Parameter  
Conditions  
drain-source voltage Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C  
Min  
Typ  
Max Unit  
VDS  
ID  
-
-
-
-
75  
75  
V
A
drain current  
Tmb = 25 °C; VGS = 10 V;  
see Figure 1 and 3  
Ptot  
total power  
dissipation  
Tmb = 25 °C; see Figure 2  
-
-
-
230  
-
W
Dynamic characteristics  
QGD gate-drain charge  
VGS = 10 V; ID = 75 A;  
VDS = 60 V; Tj = 25 °C;  
see Figure 11  
50  
nC  
Static characteristics  
RDSon  
drain-source  
VGS = 10 V; ID = 25 A;  
-
6.5  
8.5  
mΩ  
on-state resistance  
Tj = 25 °C; see Figure 9 and 10  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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