PSMN004-36B

更新时间： 2024-02-09 15:03:04

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
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13页	274K
描述
N-channel enhancement mode field-effect transistor

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PSMN004-36B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	230 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

PSMN004-36B 数据手册

PSMN004-36P/36B

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor

Rev. 01 — 19 November 2001

Product data

1. Description

N-channel logic level ﬁeld-effect power transistor in a plastic package using

TrenchMOS™¹technology.

Product availability:

PSMN004-36P in SOT78 (TO-220AB)

PSMN004-36B in SOT404 (D²-PAK).

2. Features

■ Very low on-state resistance

■ Fast switching.

3. Applications

■ DC to DC converters

■ Switch mode power supplies.

4. Pinning information

Table 1:

Pinning - SOT78 and SOT404, simpliﬁed outline and symbol

Description

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

[1]

drain (d)

source (s)

drain (d)

MBB076

MBK116

MBK106

2 3

SOT78 (TO-220AB)

SOT404 (D^2-PAK)

[1] It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.

1. TrenchMOS is a trademark of Koninklijke Philips Electronics N.V.

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