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PSMN004-36B/T3

更新时间： 2024-01-21 05:41:51

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	99K
描述
TRANSISTOR 75 A, 36 V, 0.0054 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET General Purpose Power

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PSMN004-36B/T3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, D2PAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.17	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	120 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	36 V
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.0054 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PSMN004-36B/T3 数据手册

PSMN004-36P/36B

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor

Rev. 01 — 19 November 2001

Product data

1. Description

N-channel logic level ﬁeld-effect power transistor in a plastic package using

TrenchMOS™¹technology.

Product availability:

PSMN004-36P in SOT78 (TO-220AB)

PSMN004-36B in SOT404 (D²-PAK).

2. Features

■ Very low on-state resistance

■ Fast switching.

3. Applications

■ DC to DC converters

■ Switch mode power supplies.

4. Pinning information

Table 1:

Pinning - SOT78 and SOT404, simpliﬁed outline and symbol

Description

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

[1]

drain (d)

source (s)

drain (d)

MBB076

MBK116

MBK106

2 3

SOT78 (TO-220AB)

SOT404 (D^2-PAK)

[1] It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.

1. TrenchMOS is a trademark of Koninklijke Philips Electronics N.V.

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