MICRON TECHNOLOGY (镁光) 更新时间:2022-06-07 14:43:32
Micron(镁光)是美国的半导体巨头。自1978年成立以来,它一直专注于存储芯片的设计和制造。它有自己的晶圆工厂,也是美国唯一的存储芯片制造商。Micron(Micron)的主要产品是DRAM和Flash。Micron(镁光)的市值在全球半导体行业一直保持在第5-第10位,在存储行业一直排名第二。Micron(镁光)在各个国家都有Site,Micron(镁光)有近30个R&D中心和工厂,主要在美国、中国、意大利、日本、新加坡、台湾省、波多黎各、以色列、马来西亚等地。 Micron(镁光)是四大存储巨头中唯一icron(Micron)是唯一一家在上海设立R&D机构的公司。在过去的10年里,上海R&D中心已经独立生产了几代产品,现在最新的3DMemory设计也在上海落户。通过这张简单的图片,我们可以看到美光上海的设计主要分为IC、System和Control设计。
型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
MT41J256M8HX-187ED | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器双倍数据速率 | 2Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM Features | |
MT41J256M8 | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器双倍数据速率 | DDR3 SDRAM MT41J512M4 â 64 Meg x 4 x 8 Bank | |
MT41J128M8 | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器双倍数据速率 | DDR3 SDRAM MT41J256M4 â 32 Meg x 4 x 8 bank | |
MT29F16G08AJADAWP | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | 4Gb, 8Gb, 16Gb: x8, x16 NAND Flash Memory Features | |
M29F200BB | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory | |
M29F200BB70N6 | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存内存集成电路光电二极管 | 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory | |
M29F200BT | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory | |
M25PX16SOVZM6TP | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | 16-Mbit, dual I/O, 4-Kbyte subsector erase, serial Flash memory with 75 MHz SPI bus interf | |
M25PX16 | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | 16-Mbit, dual I/O, 4-Kbyte subsector erase, serial Flash memory with 75 MHz SPI bus interf | |
M25P20-VMN6TPB | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存存储 | Micron M25P20 2Mb 3V Serial Flash Embedded Memory | |
RD48F4000P0ZBQ0 | MICRON | 获取价格 | ![]() |
存储 | Numonyx StrataFlash Embedded Memory | |
JS28F512P30TFA | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | Numonyx Axcell P30-65nm Flash Memory | |
JS28F256P33BFE | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存存储内存集成电路光电二极管 | NumonyxTM StrataFlash Embedded Memory | |
JS28F256P33BF | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存存储内存集成电路光电二极管 | NumonyxTM StrataFlash Embedded Memory | |
JS28F128P30TF75A | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | Numonyx Axcell P30-65nm Flash Memory | |
PC28F00BP30EFA | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存内存集成电路 | Numonyx® Axcell⢠P30-65nm Flash Memory | |
PC28F00AP30TFA | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存内存集成电路 | Numonyx® Axcell⢠P30-65nm Flash Memory 512 | |
N25Q512A83GSF40G | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | Micron Serial NOR Flash Memory 3V, Multiple I/O, 4KB Sector Erase N25Q512A | |
N25Q512A13GF840E | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | Micron Serial NOR Flash Memory 3V, Multiple I/O, 4KB Sector Erase N25Q512A | |
N25Q128A13ESE40G | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | Micron Serial NOR Flash Memory 3V, Multiple I/O, 4KB Sector Erase N25Q128A | |
N25Q128A11B1241F | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | 128-Mbit, 1.8 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase on boot sectors, XiP enabled, seria | |
MT48LC16M16A2P-75DTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | SDR SDRAM MT48LC64M4A2 â 16 Meg x 4 x 4 ban | |
MT48H4M16LFB4-8ITH | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | Mobile SDRAM MT48H4M16LF â 1 Meg x 16 x 4 b | |
MT47H64M8CF-25EG | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器双倍数据速率 | DDR2 SDRAM MT47H128M4 â 32 Meg x 4 x 4 bank | |
MT46V32M16P-5BJ | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器双倍数据速率 | Double Data Rate (DDR) SDRAM MT46V128M4 â 3 | |
MT46H16M16LFBF-6ITH | MICRON | 获取价格 | ![]() |
电子动态存储器双倍数据速率 | Mobile DDR SDRAM MT46H16M16LF â 4 Meg x 16 | |
MT29C4G48MAZAPAKD-5IT | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存光电二极管动态存储器 | NAND Flash and Mobile LPDRAM 152-Ball Package | |
MT48LC4M16A2P-6A | MICRON | 获取价格 | ![]() |
内存集成电路动态存储器 | 64Mb: x4, x8, x16 SDRAM | |
MT8VDDT3264AG-40BC4 | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器双倍数据速率 | 256MB, 512MB (x64, SR) 184-Pin DDR SDRAM UDIMM | |
MT47H64M16HR-25H | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器双倍数据速率 | DDR2 SDRAM MT47H256M4 â 32 Meg x 4 x 8 bank |
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