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PC28F00AP30TFA

更新时间： 2024-11-06 12:27:51
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON 闪存内存集成电路
页数 文件大小 规格书
86页 11765K
描述
Numonyx® Axcell™ P30-65nm Flash Memory 512-Mbit, 1-Gbit , 2-Gbit

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PC28F00AP30TFA 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TBGA, BGA64,8X8,40针数：64
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：8.5
Is Samacsys：N最长访问时间：100 ns
其他特性：TOP BOOT启动块：TOP
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PBGA-B64
JESD-609代码：e1长度：10 mm
内存密度：1073741824 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：4,1023端子数量：64
字数：67108864 words字数代码：64000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：64MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TBGA
封装等效代码：BGA64,8X8,40封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE页面大小：16 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：1.8,1.8/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
部门规模：16K,64K最大待机电流：0.00024 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.031 mA
最大供电电压 (Vsup)：2 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：30切换位：NO
类型：NOR TYPE宽度：8 mm
Base Number Matches：1

PC28F00AP30TFA 数据手册

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Numonyx® Axcell™ P30-65nm Flash Memory  
512-Mbit, 1-Gbit , 2-Gbit  
Datasheet  
Product Features  
„ High performance:  
„ Enhanced Security:  
— Absolute write protection: VPP = VSS  
— Power-transition erase/program lockout  
— Individual zero-latency block locking  
— Individual block lock-down capability  
— Password Access feature  
Easy BGA:  
— 100ns initial access time (512-Mbit, 1-Gbit)  
— 105ns initial access time (2-Gbit)  
— 25ns 16-word asynchronous-page read mode  
— 52MHz with zero WAIT states, 17ns clock-to-  
data output synchronous-burst read mode  
— 4-, 8-, 16- and continuous-word options for  
burst mode  
— One-Time Programmable Register:  
— 64 OTP bits, programmed with unique  
information by Numonyx  
— 2112 OTP bits, available for customer  
programming  
TSOP:  
— 110ns initial access time  
„ Software:  
Easy BGA and TSOP:  
— Buffered Enhanced Factory Programming at  
2.0MByte/s (typ) using 512-word buffer  
— 1.8V buffered programming at 1.46MByte/s  
(Typ) using 512-word buffer  
— 25µs (Typ) program suspend  
— 30µs (Typ) erase suspend  
®
— Numonyx Flash Data Integrator optimized  
— Basic Command Set and Extended Function  
Interface (EFI) Command Set compatible  
— Common Flash Interface capable  
„ Architecture:  
— Multi-Level Cell Technology: Highest Density  
at Lowest Cost  
„ Density and Packaging  
— Symmetrically-blocked architecture (512-  
Mbit, 1-Gbit, 2-Gbit)  
— 56-Lead TSOP (512-Mbit, 1-Gbit)  
— 64-Ball Easy BGA (512-Mbit, 1-Gbit, 2-Gbit)  
— 16-bit wide data bus  
— Asymmetrically-blocked architecture, Four 32-  
KByte parameter blocks: Top or Bottom  
configuration (512-Mbit, 1-Gbit)  
— 128-KByte array blocks  
„ Quality and Reliability  
— JESD47E Compliant  
— Blank Check to verify an erase block  
— Operating temperature: –40°C to +85°C  
— Minimum 100,000 erase cycles  
— 65nm process technology  
„ Voltage and Power:  
— VCC (core) voltage: 1.7V – 2.0V  
— VCCQ (I/O) voltage: 1.7V – 3.6V  
— Standby current: 70µA(Typ) for 512-Mbit,  
75µA(Typ) for 1-Gbit  
— Continuous synchronous read current (Easy  
BGA): 21mA (Typ)/24mA (Max) at 52MHz  
Datasheet  
1
Sept 2012  
Order Number: 208042-06  
1234567...86

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PC28F00AP30TFA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
RC28F00AP30TFA MICRON

完全替代

 65nm; MLC; 28F512P30B/E/TF, 28F00AP30B/E/TF, 28F00BP30EF

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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