MICRON TECHNOLOGY (镁光) 更新时间:2020-10-07 12:33:10
Micron(镁光)是美国的半导体巨头。自1978年成立以来,它一直专注于存储芯片的设计和制造。它有自己的晶圆工厂,也是美国唯一的存储芯片制造商。Micron(Micron)的主要产品是DRAM和Flash。Micron(镁光)的市值在全球半导体行业一直保持在第5-第10位,在存储行业一直排名第二。Micron(镁光)在各个国家都有Site,Micron(镁光)有近30个R&D中心和工厂,主要在美国、中国、意大利、日本、新加坡、台湾省、波多黎各、以色列、马来西亚等地。 Micron(镁光)是四大存储巨头中唯一icron(Micron)是唯一一家在上海设立R&D机构的公司。在过去的10年里,上海R&D中心已经独立生产了几代产品,现在最新的3DMemory设计也在上海落户。通过这张简单的图片,我们可以看到美光上海的设计主要分为IC、System和Control设计。
型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
MT48LC4M32B2B51 | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | SDR SDRAM MT48LC4M32B2 â 1 Meg x 32 x 4 Ban | |
MT48LC4M32B2P-7 | MICRON | 获取价格 | ![]() |
内存集成电路光电二极管动态存储器时钟 | SDR SDRAM MT48LC4M32B2 â 1 Meg x 32 x 4 Ban | |
MT48LC4M32B2P | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | SDR SDRAM MT48LC4M32B2 â 1 Meg x 32 x 4 Ban | |
MT48LC4M32B2F51 | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | SDR SDRAM MT48LC4M32B2 â 1 Meg x 32 x 4 Ban | |
MT46V32M16P-5BITF | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器双倍数据速率 | 512Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM Features | |
MT46V32M16 | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器双倍数据速率 | 512Mb: x4, x8, x16 Double Data Rate (DDR) SDRAM SDRAM Features | |
MT46V16M16CV-6ITK | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器双倍数据速率 | 256Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM Features | |
N25Q032A13ESE40G | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | 32-Mbit 3 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase, XiP enabled, serial flash memory with | |
N25Q032A13EF640F | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | 32-Mbit 3 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase, XiP enabled, serial flash memory with | |
N25Q032A13EF640E | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | 32-Mbit 3 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase, XiP enabled, serial flash memory with | |
N25Q032A13EF840E | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | 32-Mbit 3 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase, XiP enabled, serial flash memory with | |
N25Q032A13ESC40G | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | 32-Mbit 3 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase, XiP enabled, serial flash memory with | |
N25Q032A13ESC40F | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | 32-Mbit 3 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase, XiP enabled, serial flash memory with | |
N25Q032A13E1241F | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | 32-Mbit 3 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase, XiP enabled, serial flash memory with | |
N25Q032A13E1240F | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | 32-Mbit 3 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase, XiP enabled, serial flash memory with | |
N25Q032A13E1240E | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | 32-Mbit 3 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase, XiP enabled, serial flash memory with | |
MT48LC16M16A2TG-75ITD | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 256Mb: x4, x8, x16 SDRAM | |
MT47H128M16 | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器双倍数据速率 | DDR2 SDRAM MT47H512M4 â 64 Meg x 4 x 8 bank | |
MT41J64M16 | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器双倍数据速率 | DDR3 SDRAM MT41J256M4 â 32 Meg x 4 x 8 bank | |
MT41J256M4 | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器双倍数据速率 | DDR3 SDRAM MT41J256M4 â 32 Meg x 4 x 8 bank | |
MT41J128M16JT-125K | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器双倍数据速率 | DDR3 SDRAM MT41J512M4 64 Meg x 4 x 8 Banks MT41J256M8 32 Meg x 8 x 8 Banks MT41J128M16 16 | |
MT41J128M16HA-15EDTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器双倍数据速率 | DDR3 SDRAM MT41J512M4 â 64 Meg x 4 x 8 Bank | |
MT41J128M16HA-15ED | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器双倍数据速率 | DDR3 SDRAM MT41J512M4 â 64 Meg x 4 x 8 Bank | |
MT41J128M16 | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器双倍数据速率 | 2Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM Features | |
MT29F8G16ADBDAH4 | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | 4Gb, 8Gb, 16Gb: x8, x16 NAND Flash Memory Features | |
MT29F8G16ADADAH4 | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | 4Gb, 8Gb, 16Gb: x8, x16 NAND Flash Memory Features | |
MT29F8G08ADBDAH4 | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | 4Gb, 8Gb, 16Gb: x8, x16 NAND Flash Memory Features | |
MT29F8G08ADADAH4D | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | 4Gb, 8Gb, 16Gb: x8, x16 NAND Flash Memory Features | |
MT29F8G08ADADAH4 | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | 4Gb, 8Gb, 16Gb: x8, x16 NAND Flash Memory Features | |
MT29F4G16ABBDAH4 | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | 4Gb, 8Gb, 16Gb: x8, x16 NAND Flash Memory Features |
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