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N25Q032A13ESC40G

更新时间： 2024-11-05 12:02:59
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON 闪存
页数 文件大小 规格书
153页 5493K
描述
32-Mbit 3 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase, XiP enabled, serial flash memory with 108 MHz SPI bus interface

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N25Q032A13ESC40G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP8,.24针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.64
最大时钟频率 (fCLK)：108 MHz数据保留时间-最小值：20
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G8
长度：4.9 mm内存密度：33554432 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：1
功能数量：1端子数量：8
字数：33554432 words字数代码：32000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：32MX1
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP8,.24
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：SERIAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
串行总线类型：SPI最大待机电流：0.0001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
类型：NOR TYPE宽度：3.9 mm
写保护：HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches：1

N25Q032A13ESC40G 数据手册

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N25Q032  
32-Mbit 3 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase,  
XiP enabled, serial flash memory with 108 MHz SPI bus interface  
„ Electronic signature  
Features  
– JEDEC standard two-byte signature  
„ SPI-compatible serial bus interface  
(BA16h)  
„ 108 MHz (maximum) clock frequency  
„ 2.7 V to 3.6 V single supply voltage  
– Additional 2 Extended Device ID (EDID)  
bytes to identify device factory options  
– Unique ID code (UID) with 14 bytes read-  
only, factory programmed  
„ Supports legacy SPI protocol and new Quad  
I/O or Dual I/O SPI protocol  
„ More than 100,000 program/erase cycles per  
„ Quad/Dual I/O instructions resulting in an  
sector  
equivalent clock frequency up to 432 MHz:  
„ More than 20 years data retention  
„ XIP mode for all three protocols  
„ Packages (All packages RoHS compliant):  
– F4 = UFDFPN8 4 x 3 mm (MLP8)  
– F6 = VDFPN8 6 x 5 mm (MLP8)  
– F8 = VDFPN8 8 x 6 mm (MLP8)  
– SC = SO8N (150 mils body width)  
– SE = SO8W (208 mils body width)  
– SF = SO16 (300 mils body width)  
– 12 = TBGA24 6 x 8 mm  
– Configurable via volatile or non-volatile  
registers (enabling the memory to work in  
XiP mode directly after power on)  
„ Program/Erase suspend instructions  
„ Continuous read of entire memory via single  
instruction:  
– Fast Read  
– Quad or Dual Output Fast Read  
– Quad or Dual I/O Fast Read  
„ Flexible to fit application:  
– Configurable number of dummy cycles  
– Output buffer configurable  
– Reset function available upon customer  
request  
„ 64-byteuser-lockable, one-time programmable  
(OTP) area  
„ Erase capability  
– Subsector (4-Kbyte) granularity on the  
entire memory array.  
– Sector (64-Kbyte) granularity  
„ Write protections  
– Software write protection applicable to  
every 64-Kbyte sector (volatile lock bit)  
– Hardware write protection: protected area  
size defined by five non-volatile bits (BP0,  
BP1, BP2, and TB bit)  
– Additional smart protections available upon  
customer request  
July 2011  
Rev 2  
1/153  
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.  
©2010 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
1234567...153

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N25Q032A13ESC40G 替代型号

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