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MT41J128M16HA-15ED

更新时间： 2024-02-14 06:29:40

品牌	Logo	应用领域
镁光 - MICRON		动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
211页	2907K
描述
DDR3 SDRAM MT41J512M4 â 64 Meg x 4 x 8 Banks MT41J256M8 â 32 Meg x 8 x 8 Banks MT41J128M16 â 16 Meg x 16 x 8 Banks

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MT41J128M16HA-15ED 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA96,9X16,32	针数：	96
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.59
访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.255 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	667 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B96	JESD-609代码：	e1
长度：	14 mm	内存密度：	2147483648 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	96	字数：	134217728 words
字数代码：	128000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA96,9X16,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	8
最大待机电流：	0.012 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.425 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.425 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	9 mm	Base Number Matches：	1

MT41J128M16HA-15ED 数据手册

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2Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM

Features

DDR3 SDRAM

MT41J512M4 – 64 Meg x 4 x 8 Banks

MT41J256M8 – 32 Meg x 8 x 8 Banks

MT41J128M16 – 16 Meg x 16 x 8 Banks

Options¹

Marking

Features

• V_DD= V_DDQ= 1.5V ±±.±05V

• 1.5V center-terminated push/pull I/O

• Differential bidirectional data strobe

• 8n-bit prefetch architecture

• Differential clock inputs (CK, CK#)

• 8 internal banks

• Nominal and dynamic on-die termination (ODT)

for data, strobe, and mask signals

• Programmable CAS READ latency (CL)

• Posted CAS additive latency (AL)

• Programmable CAS WRITE latency (CWL) based on

^tCK

• Fixed burst length (BL) of 8 and burst chop (BC) of 4

(via the mode register set [MRS])

• Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF)

• Self refresh mode

• Configuration

– 512 Meg x 4

– 256 Meg x 8

– 128 Meg x 16

512M4

256M8

128M16

• FBGA package (Pb-free) – x4, x8

– 08-ball (8mm x 1±.5mm) Rev. M, K

– 08-ball (9mm x 11.5mm) Rev. D

• FBGA package (Pb-free) – x16

– 96-ball (9mm x 14mm) Rev. D

– 96-ball (8mm x 14mm) Rev. K

• Timing – cycle time

– 938ps @ CL = 14 (DDR3-2133)

– 1.±01ns @ CL = 13 (DDR3-1866)

– 1.25ns @ CL = 11 (DDR3-16±±)

– 1.5ns @ CL = 9 (DDR3-1333)

– 1.80ns @ CL = 0 (DDR3-1±66)

• Operating temperature

-±93

-1±0

-125

-15E

-180E

• T_Cof ±°C to 95°C

– Commercial (±°C ≤ T_C≤ +95°C)

– Industrial (–4±°C ≤ T_C≤ +95°C)

• Revision

None

:D/:M/:K

– 64ms, 8192 cycle refresh at ±°C to 85°C

– 32ms, 8192 cycle refresh at 85°C to 95°C

• Self refresh temperature (SRT)

• Write leveling

• Multipurpose register

• Output driver calibration

1. Not all options listed can be combined to

define an offered product. Use the part

Note:

catalog search on http://www.micron.com

for available offerings.

Table 1: Key Timing Parameters

Speed Grade

-093^{1, 2, 3, 4}

-107^{1, 2, 3}

-125^{1, 2,}

Data Rate (MT/s)

Target ^tRCD-^tRP-CL

^tRCD (ns)

13.09

13.91

13.75

13.5

^tRP (ns)

13.09

13.91

13.75

13.5

CL (ns)

13.09

13.91

13.75

13.5

2133

1866

1600

1333

1066

14-14-14

13-13-13

11-11-11

9-9-9

-15E^1,

-187E

7-7-7

13.1

1. Backward compatible to 1066, CL = 7 (-187E).

2. Backward compatible to 1333, CL = 9 (-15E).

3. Backward compatible to 1600, CL = 11 (-125).

4. Backward compatible to 1866, CL = 13 (-107).

Notes:

PDF: 09005aef826aaadc

2Gb_DDR3_SDRAM.pdf - Rev. Q 04/13 EN

Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.

Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MT41J128M16HA-15EDTR	MICRON	获取价格	DDR3 SDRAM MT41J512M4 â 64 Meg x 4 x 8 Bank
MT41J128M16JT-093	MICRON	获取价格	2Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM
MT41J128M16JT-125	MICRON	获取价格	2Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM
MT41J128M16JT-125K	MICRON	获取价格	DDR3 SDRAM MT41J512M4 64 Meg x 4 x 8 Banks MT41J256M8 32 Meg x 8 x 8 Banks MT41J128M16 16
MT41J128M8	MDTIC	获取价格	1Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM
MT41J128M8	MICRON	获取价格	DDR3 SDRAM MT41J256M4 â 32 Meg x 4 x 8 bank
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MT41J256M8	MICRON	获取价格	DDR3 SDRAM MT41J512M4 â 64 Meg x 4 x 8 Bank
MT41J256M8HX-187ED	MICRON	获取价格	2Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM Features

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