MICRON TECHNOLOGY (镁光) 更新时间:2023-05-18 23:29:15
Micron(镁光)是美国的半导体巨头。自1978年成立以来,它一直专注于存储芯片的设计和制造。它有自己的晶圆工厂,也是美国唯一的存储芯片制造商。Micron(Micron)的主要产品是DRAM和Flash。Micron(镁光)的市值在全球半导体行业一直保持在第5-第10位,在存储行业一直排名第二。Micron(镁光)在各个国家都有Site,Micron(镁光)有近30个R&D中心和工厂,主要在美国、中国、意大利、日本、新加坡、台湾省、波多黎各、以色列、马来西亚等地。 Micron(镁光)是四大存储巨头中唯一icron(Micron)是唯一一家在上海设立R&D机构的公司。在过去的10年里,上海R&D中心已经独立生产了几代产品,现在最新的3DMemory设计也在上海落户。通过这张简单的图片,我们可以看到美光上海的设计主要分为IC、System和Control设计。
型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
MT29F4G16ABADAWP | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | 4Gb, 8Gb, 16Gb: x8, x16 NAND Flash Memory Features | |
MT29F4G16ABADAH4 | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | 4Gb, 8Gb, 16Gb: x8, x16 NAND Flash Memory Features | |
MT29F4G08ABBDAHC | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | 4Gb, 8Gb, 16Gb: x8, x16 NAND Flash Memory Features | |
MT29F4G08ABBDAH4 | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | 4Gb, 8Gb, 16Gb: x8, x16 NAND Flash Memory Features | |
MT29F4G08ABADAWP | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | 4Gb, 8Gb, 16Gb: x8, x16 NAND Flash Memory Features | |
MT29F4G08ABADAH4 | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | 4Gb, 8Gb, 16Gb: x8, x16 NAND Flash Memory Features | |
MT29F4G16ABBDAHC | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | 4Gb, 8Gb, 16Gb: x8, x16 NAND Flash Memory Features | |
MT18JDF1G72PDZ-1G9__ | MICRON | 获取价格 | ![]() |
双倍数据速率 | 8GB (x72, ECC, DR) 240-Pin DDR3 VLP RDIMM Features | |
MT18JDF1G72PDZ-1G6D1 | MICRON | 获取价格 | ![]() |
双倍数据速率 | 8GB (x72, ECC, DR) 240-Pin DDR3 VLP RDIMM Features | |
MT18JDF1G72PDZ-1G6__ | MICRON | 获取价格 | ![]() |
双倍数据速率 | 8GB (x72, ECC, DR) 240-Pin DDR3 VLP RDIMM Features | |
MT18JDF1G72PDZ-1G4__ | MICRON | 获取价格 | ![]() |
双倍数据速率 | 8GB (x72, ECC, DR) 240-Pin DDR3 VLP RDIMM Features | |
MT18JDF1G72PDZ-1G1__ | MICRON | 获取价格 | ![]() |
双倍数据速率 | 8GB (x72, ECC, DR) 240-Pin DDR3 VLP RDIMM Features | |
MT18JDF1G72PDZ | MICRON | 获取价格 | ![]() |
双倍数据速率 | 8GB (x72, ECC, DR) 240-Pin DDR3 VLP RDIMM Features | |
M58BW016FB | MICRON | 获取价格 | ![]() |
16 Mbit (512 Kbit x 32, boot block, burst) | ||
M58BW016DB | MICRON | 获取价格 | ![]() |
16 Mbit (512 Kbit x 32, boot block, burst) | ||
M58BW016FB7T3T | MICRON | 获取价格 | ![]() |
16 Mbit (512 Kbit x 32, boot block, burst) | ||
M58BW016FT | MICRON | 获取价格 | ![]() |
16 Mbit (512 Kbit x 32, boot block, burst) | ||
M58BW016DT | MICRON | 获取价格 | ![]() |
16 Mbit (512 Kbit x 32, boot block, burst) | ||
M29W256GL | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存存储 | Parallel NOR Flash Embedded Memory | |
M29W256GH70N6E | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存存储内存集成电路光电二极管 | Parallel NOR Flash Embedded Memory | |
M29W256GH | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存存储 | Parallel NOR Flash Embedded Memory | |
TE28F640P30B85 | MICRON | 获取价格 | ![]() |
存储 | Numonyx StrataFlash Embedded Memory | |
JS28F256P30B95A | MICRON | 获取价格 | ![]() |
存储内存集成电路光电二极管 | Numonyx StrataFlash Embedded Memory | |
PC28F128J3F75A | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存内存集成电路PC | Numonyx® Embedded Flash Memory (J3 65nm) Sin | |
N25Q256A13EF840E | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | Micron Serial NOR Flash Memory 3V, Multiple I/O, 4KB Sector Erase N25Q256A | |
N25Q256A13E1240E | MICRON | 获取价格 | ![]() |
闪存 | Micron Serial NOR Flash Memory 3V, Multiple I/O, 4KB Sector Erase N25Q256A | |
MT48LC4M16A2P-75G | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | SDR SDRAM MT48LC16M4A2 â 4 Meg x 4 x 4 Bank | |
MT48LC4M16A2B4-75 | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | SDR SDRAM | |
MT48LC4M16A2B4-6AITJ | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | SDR SDRAM | |
MT48LC32M16A2P-75ITC | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | SDR SDRAM MT48LC128M4A2 â 32 Meg x 4 x 4 ba |
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