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JS28F128P30TF75A

更新时间： 2025-07-19 12:28:31

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镁光 - MICRON		闪存
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90页	1194K
描述
Numonyx Axcell P30-65nm Flash Memory

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JS28F128P30TF75A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	TSSOP, TSSOP56,.8,20	针数：	56
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.74
最长访问时间：	75 ns	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PDSO-G56
JESD-609代码：	e3	长度：	18.4 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	4,127	端子数量：	56
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP56,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	页面大小：	8 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8,1.8/3.3 V	编程电压：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	16K,64K	最大待机电流：	0.000055 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
类型：	NOR TYPE	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

JS28F128P30TF75A 数据手册

Numonyx^®Axcell™ P30-65nm Flash Memory

128-Mbit, 64-Mbit Single Bit per Cell (SBC)

Datasheet

Product Features

High Performance:

Enhanced Security:

— 65ns initial access time for Easy BGA and

QUAD+

— Absolute write protection: VPP = Vss

— Power-transition erase/program lockout

— Individual zero-latency block locking

— Individual block lock-down capability

— Password Access feature

— 75ns initial access time for TSOP

— 25ns 8-word asynchronous-page read mode

— 52MHz with zero WAIT states, 17ns clock-to-

data output synchronous-burst read mode

— One-Time Programmable Register:

— 4-, 8-, 16- and continuous-word options for

burst mode

— 64 OTP bits, programmed with unique

information by Numonyx

— 1.8V Low Power buffered programming at

1.8MByte/s (Typ) using 256-word buffer

— 2112 OTP bits, available for customer

programming

— Buffered Enhanced Factory Programming at

3.2MByte/s (typ) using 256-word buffer

Software:

— 20µs (Typ) program suspend

Architecture:

— 20µs (Typ) erase suspend

— Asymmetrically-blocked architecture

— Basic Command Set and Extended Function

Interface (EFI) Command Set compatible

— Four 32-KByte parameter blocks: top or

bottom configuration

— Common Flash Interface capable

— 128-KByte array blocks

Density and Packaging:

— Blank Check to verify an erased block

— 56-Lead TSOP (128-Mbit, 64-Mbit)

— 64-Ball Easy BGA (128-Mbit, 64-Mbit)

— 88-Ball QUAD+ Package (128-Mbit)

— 16-bit wide data bus

Voltage and Power:

— VCC (core) voltage: 1.7V – 2.0V

— VCCQ (I/O) voltage: 1.7V – 3.6V

— Standby current: 30µA(Typ)/55µA(Max)

Quality and Reliability:

— Continuous synchronous read current: 23mA

(Typ)/28mA (Max) at 52MHz

— JESD47E Compliant

— Operating temperature: –40°C to +85°C

— Minimum 100,000 erase cycles

— 65nm process technology

Datasheet

Apr 2010

Order Number: 208033-02

12 3 4 5 6 7...90

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