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JS28F256J3F105

更新时间： 2024-09-23 15:35:55

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		光电二极管内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
66页	711K
描述
Flash, 16MX16, 105ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56

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JS28F256J3F105 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSSOP, TSSOP56,.8,20
针数：	56	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.51	最长访问时间：	105 ns
备用内存宽度：	8	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PDSO-G56	JESD-609代码：	e4
长度：	18.4 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	256
端子数量：	56	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	16MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP56,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
页面大小：	4/8 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/3.3 V
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	128K	最大待机电流：	0.00021 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	NICKEL PALLADIUM GOLD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
类型：	NOR TYPE	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

JS28F256J3F105 数据手册

Numonyx™ StrataFlash^®Embedded Memory

(J3-65nm)

256-Mbit

Datasheet

Product Features

Architecture

Security

— Multi-Level Cell Technology: Highest

Density at Lowest Cost

— Enhanced security options for code

protection

— 256 symmetrically-sized blocks of 128

Kbytes

Performance

— Absolute protection with V_PEN= GND

— Individual block locking

— Block erase/program lockout during power

transition

— 95 ns initial access time for Easy BGA

— 105 ns initial accsss time for TSOP

— Password Access feature

— 25 ns 16-word Asynchronous page-mode

reads

— 512-Word Buffer Programming at

1.46MByte/s (Typ)

— One-Time Programmable Register:

64 OTP bits, programmed with unique

information by Numonyx

64 OTP bits, available for customer

programming

Software

— 20 µs (Typ) program suspend

— 20 µs (Typ) erase suspend

— Numonyx™ Flash Data Integrator (FDI)

— Common Flash Interface (CFI) Compatible

Packaging

Voltage and Power

— V_CC(Core) = 2.7 V to 3.6 V

— V_CCQ(I/O) = 2.7 V to 3.6 V

— Standby Current: 65 µA (Typ)

— Erase & Program Current: 35 mA (Typ)

— Page Read: 12 mA (Typ)

Quality and Reliability

— 56-Lead TSOP

— 64-Ball Easy BGA package

— Operating temperature:

-40 °C to +85 °C

— 100K Minimum erase cycles per block

— 65 nm Numonyx^TMETOX™ X Process

technology

319942-02

December 2008

12 3 4 5 6 7...66

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