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JS28F128P33TF70

更新时间： 2024-02-26 18:59:21

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恒忆 - NUMONYX		闪存
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88页	3957K
描述
NumonyxÂ® P33-65nm Flash Memory

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JS28F128P33TF70 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	TSSOP, TSSOP56,.8,20	针数：	56
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.73
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块：	TOP	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PDSO-G56	JESD-609代码：	e3
长度：	18.4 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	4,127
端子数量：	56	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP56,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小：	8 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.5/3,3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,64K
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.028 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

JS28F128P33TF70 数据手册

Numonyx P33-65nm Flash Memory

128-Mbit, 64-Mbit Single Bit per Cell (SBC)

Datasheet

Product Features

High performance:

Security:

— 60ns initial access time for Easy BGA

— 70ns initial access time for TSOP

— 25ns 8-word asynchronous-page read

mode

— 52MHz with zero wait states, 17ns clock-to-

data output synchronous-burst read mode

— 4-, 8-, 16-, and continuous-word options

for burst mode

— One-Time Programmable Registers:

— 64 OTP bits, programmed with unique

information by Numonyx

— 2112 OTP bits, available for customer

programming

— Absolute write protection: V_PP= V_SS

— Power-transition erase/program lockout

— Individual zero-latency block locking

— Individual block lock-down capability

— Password Access feature

— 3.0V buffered programming at 1.8MByte/s

(Typ) using 256-word buffer

— Buffered Enhanced Factory Programming at

3.2MByte/s (typ) using 256-word buffer

Software:

— 20µs (Typ) program suspend

— 20µs (Typ) erase suspend

— Basic Command Set and Extended Function

Interface (EFI) Command Set compatible

Architecture:

— Asymmetrically-blocked architecture

— Four 32-KByte parameter blocks: top or

bottom configuration

— 128-KByte main blocks

— Common Flash Interface capable

Density and Packaging:

— Blank Check to verify an erased block

— 56-Lead TSOP package (128-Mbit, 64-Mbit)

— 64-Ball Easy BGA package (128-Mbit, 64-

Mbit)

Voltage and Power:

— V_CC(core) voltage: 2.3V – 3.6V

— V_CCQ(I/O) voltage: 2.3V – 3.6V

— 16-bit wide data bus

— Standby current: 35μA(Typ) for 64-Mbit,

50μA(Typ) for 128-Mbit

Quality and Reliability:

— JESD47E Compliant

— Continuous synchronous read current:

23mA (Typ) at 52 MHz

— Operating temperature: –40°C to +85°C

— Minimum 100,000 erase cycles per block

— 65nm process technology

Datasheet

Jul 2011

Order Number: 208034-04

12 3 4 5 6 7...88

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