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JS28F128P33BF70

更新时间： 2024-09-18 12:01:23

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镁光 - MICRON		/
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描述
NumonyxÂ® P33-65nm Flash Memory 128-Mbit, 64-Mbit Single Bit per Cell (SBC)

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JS28F128P33BF70 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSOP-56
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.82
最长访问时间：	70 ns	启动块：	BOTTOM
JESD-30 代码：	R-PDSO-G56	长度：	18.4 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	56	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	3 V	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	类型：	NOR TYPE
宽度：	14 mm

JS28F128P33BF70 数据手册

Numonyx P33-65nm Flash Memory

128-Mbit, 64-Mbit Single Bit per Cell (SBC)

Datasheet

Product Features

High performance:

Security:

— 60ns initial access time for Easy BGA

— 70ns initial access time for TSOP

— 25ns 8-word asynchronous-page read

mode

— 52MHz with zero wait states, 17ns clock-to-

data output synchronous-burst read mode

— 4-, 8-, 16-, and continuous-word options

for burst mode

— One-Time Programmable Registers:

— 64 OTP bits, programmed with unique

information by Numonyx

— 2112 OTP bits, available for customer

programming

— Absolute write protection: V_PP= V_SS

— Power-transition erase/program lockout

— Individual zero-latency block locking

— Individual block lock-down capability

— Password Access feature

— 3.0V buffered programming at 1.8MByte/s

(Typ) using 256-word buffer

— Buffered Enhanced Factory Programming at

3.2MByte/s (typ) using 256-word buffer

Software:

— 20µs (Typ) program suspend

— 20µs (Typ) erase suspend

— Basic Command Set and Extended Function

Interface (EFI) Command Set compatible

Architecture:

— Asymmetrically-blocked architecture

— Four 32-KByte parameter blocks: top or

bottom configuration

— 128-KByte main blocks

— Common Flash Interface capable

Density and Packaging:

— Blank Check to verify an erased block

— 56-Lead TSOP package (128-Mbit, 64-Mbit)

— 64-Ball Easy BGA package (128-Mbit, 64-

Mbit)

Voltage and Power:

— V_CC(core) voltage: 2.3V – 3.6V

— V_CCQ(I/O) voltage: 2.3V – 3.6V

— 16-bit wide data bus

— Standby current: 35μA(Typ) for 64-Mbit,

50μA(Typ) for 128-Mbit

Quality and Reliability:

— JESD47E Compliant

— Continuous synchronous read current:

23mA (Typ) at 52 MHz

— Operating temperature: –40°C to +85°C

— Minimum 100,000 erase cycles per block

— 65nm process technology

Datasheet

Jul 2011

Order Number: 208034-04

12 3 4 5 6 7...88

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