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JS28F256P33BF

更新时间： 2024-09-25 12:28:31

品牌	Logo	应用领域
镁光 - MICRON		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
90页	1067K
描述
NumonyxTM StrataFlash Embedded Memory

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JS28F256P33BF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	TSSOP, TSSOP56,.8,20	针数：	56
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	105 ns
其他特性：	BOTTOM BOOT BLOCK, SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO AVAILABLE	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PDSO-G56
JESD-609代码：	e3	长度：	18.4 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	4,255	端子数量：	56
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	16MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP56,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2.5/3.3 V
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,64K
最大待机电流：	0.00021 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.031 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

JS28F256P33BF 数据手册

Numonyx^TMStrataFlash^®Embedded Memory

(P33-65nm)

256-Mbit, 512-Mbit (256M/256M)

Datasheet

Product Features

High performance:

Security:

— 95ns initial access time for Easy BGA

— 105ns initial access time for TSOP

— 25ns 16-word asynchronous-page read

mode

— 52MHz with zero wait states, 17ns clock-to-

data output synchronous-burst read mode

— 4-, 8-, 16-, and continuous-word options

for burst mode

— One-Time Programmable Registers:

— 64 unique factory device identifier bits

— 2112 user-programmable OTP bits

— Absolute write protection: V_PP= V_SS

— Power-transition erase/program lockout

— Individual zero-latency block locking

— Individual block lock-down capability

— Password Access feature

— Buffered Enhanced Factory Programming at

2.0MByte/s (typ) using 512-word buffer

Software:

— 20µs (Typ) program suspend

— 20µs (Typ) erase suspend

— Numonyx™ Flash Data Integrator optimized

— 3.0V buffered programming at 1.5MByte/s

(Typ) using 512-word buffer

Architecture:

— Basic Command Set and Extended Function

Interface Command Set compatible

— Common Flash Interface capable

— Multi-Level Cell Technology: Highest

Density at Lowest Cost

— Asymmetrically-blocked architecture

— Four 32-KByte parameter blocks: top or

bottom configuration

— 128-KByte main blocks

Density and Packaging

— 56-Lead TSOP package (256-Mbit only)

— 64-Ball Easy BGA package (256, 512-Mbit)

— 16-bit wide data bus

— Blank Check to verify an erase block

Voltage and Power:

Quality and Reliability

— V_CC(core) voltage: 2.3 V – 3.6 V

— V_CCQ(I/O) voltage: 2.3 V – 3.6 V

— Standby current: 65uA (Typ) for 256-Mbit

— Continuous synchronous read current: 21

mA (Typ)/24 mA (Max) at 52 MHz

— Operating temperature: –40 °C to +85 °C

— Minimum 100,000 erase cycles per block

— 65nm ETOX™ X process technology

Datasheet

Aug 2009

Order Number: 320003-08

12 3 4 5 6 7...90

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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JS28F256P33BFA	MICRON	获取价格	Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard
JS28F256P33BFE	MICRON	获取价格	NumonyxTM StrataFlash Embedded Memory
JS28F256P33T95	INTEL	获取价格	Flash, 16MX16, 95ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56
JS28F256P33T95A	MICRON	获取价格	64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory
JS28F256P33T95B	NUMONYX	获取价格	Flash, 16MX16, 95ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56
JS28F256P33T95B	MICRON	获取价格	64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory
JS28F256P33TFA	MICRON	获取价格	Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard
JS28F256P33TFE	MICRON	获取价格	Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard
JS28F320B3BD70	INTEL	获取价格	Flash, 2MX16, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-48

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