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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-236 | 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 3.05 | 其他特性： | LOW THRESHOLD |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.9 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3.9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.076 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.92 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NTR2101PT1G | ONSEMI |
功能相似  |
Small Signal MOSFET |
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| NTR4101PT1G | ONSEMI |
功能相似 |
Trench Power MOSFET −20 V, Single P−Channel, SOT−23 |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMV65XP/MIR | NXP |
获取价格 |
PMV65XP - 20 V, single P-channel Trench MOSFET TO-236 3-Pin |
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| PMV65XPE | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal |
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| PMV65XPE | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V, P-channel Trench MOSFETProduction |
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| PMV65XPEA | NXP |
获取价格 |
SMALL SIGNAL, FET |
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| PMV65XPEA | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V, P-channel Trench MOSFETProduction |
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| PMV6DW1BBLK | E-SWITCH |
获取价格 |
Product Search |
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| PMV6DW2BBLK | E-SWITCH |
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| PMV6DW2BBLU | E-SWITCH |
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| PMV6DW2BRED | E-SWITCH |
获取价格 |
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| PMV6DW3BRED | E-SWITCH |
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