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PMWD19UN

更新时间: 2024-11-09 06:04:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 226K
描述
DUAL uTRENCHMOS ULTRA LOW LEVEL FET

PMWD19UN 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSSOP
包装说明:PLASTIC, TSSOP-8针数:8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.82Is Samacsys:N
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):5.6 A最大漏极电流 (ID):3.4 A
最大漏源导通电阻:0.035 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:MO-153JESD-30 代码:R-PDSO-G8
湿度敏感等级:2元件数量:2
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2.3 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

PMWD19UN 数据手册

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PMWD19UN  
Dual µTrenchMOS™ ultra low level FET  
Rev. 01 — 20 December 2002  
Product data  
M3D647  
1. Product profile  
1.1 Description  
Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using  
TrenchMOS™ technology.  
Product availability:  
PMWD19UN in SOT530-1 (TSSOP8).  
1.2 Features  
Surface mounting package  
Very low threshold  
Low profile  
Fast switching.  
1.3 Applications  
Portable appliances  
Battery management  
PCMCIA cards  
Load switching.  
1.4 Quick reference data  
VDS 30 V  
Ptot 2.3 W  
ID 5.6 A  
RDSon 23 m.  
2. Pinning information  
Table 1:  
Pinning - SOT530-1, simplified outline and symbol  
Pin  
1
Description  
drain1 (d1)  
source1 (s1)  
gate1 (g1)  
Simplified outline  
Symbol  
d
1
d
s
8
5
2
2,3  
4
5
gate2 (g2)  
6,7  
8
source2 (s2)  
drain2 (d2)  
s
g
g
2
MSD901  
1
1
2
1
4
Top view  
MBK885  
SOT530-1  

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