PMWD20XN

更新时间： 2024-11-08 22:26:27

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恩智浦 - NXP		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	92K
描述
Dual N-channel UTrenchMOS extremely low level FET

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PMWD20XN 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-8	针数：	153
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
配置：	COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.7 A	最大漏极电流 (ID)：	10.4 A
最大漏源导通电阻：	0.022 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MO-153	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
湿度敏感等级：	2	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PMWD20XN 数据手册

PMWD20XN

Dual N-channel µTrenchMOS™ extremely low level FET

Rev. 02 — 26 April 2005

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

Dual common drain N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a

plastic package using TrenchMOS™ technology.

1.2 Features

■ Surface-mounted package

■ Extremely low threshold voltage

■ Low proﬁle

■ Fast switching

1.3 Applications

■ Portable appliances

■ Battery management

1.4 Quick reference data

■ V_DS≤ 20 V

■ P_tot≤ 4.2 W

■ I_D≤ 10.4 A

■ R_DSon≤ 24 mΩ

2. Pinning information

Table 1:

1, 8

2, 3

Pinning

Description

drain (D)

Simpliﬁed outline

Symbol

source1 (S1)

gate1 (G1)

gate2 (G2)

source2 (S2)

6, 7

mbl600

SOT530-1 (TSSOP8)

12 3 4 5 6 7...12

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