PMWD18UN

更新时间： 2024-09-15 22:09:19

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恩智浦 - NXP		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	91K
描述
Dual N-channel mTrenchMOS?? ultra low level FET

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PMWD18UN 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	PLASTIC, TSSOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
配置：	COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10.6 A	最大漏极电流 (ID)：	10.6 A
最大漏源导通电阻：	0.0235 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MO-153	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	4.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PMWD18UN 数据手册

PMWD18UN

M3D647

Dual N-channel µTrenchMOS™ ultra low level FET

Rev. 02 — 23 February 2004

Product data

1. Product proﬁle

1.1 Description

Dual common drain N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor in a plastic

package using TrenchMOS™ technology.

1.2 Features

■ Surface mounted package

■ Very low threshold

■ Low proﬁle

■ Fast switching.

1.3 Applications

■ Portable appliances

■ Battery management

■ PCMCIA cards

■ Load switching.

1.4 Quick reference data

■ V_DS≤ 30 V

■ P_tot≤ 2.3 W

■ I_D≤ 7.8 A

■ R_DSon≤ 21.5 mΩ.

2. Pinning information

Table 1:

1,8

2,3

Pinning - SOT530-1 (TSSOP8), simpliﬁed outline and symbol

Description

drain (d)

Simpliﬁed outline

Symbol

source1 (s1)

gate1 (g1)

gate2 (g2)

source2 (s2)

6,7

mbl600

Top view

MBK885

SOT530-1 (TSSOP8)

12 3 4 5 6 7...12

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