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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NTR2101PT1G
NTR2101PT1G PDF预览

NTR2101PT1G

更新时间： 2024-09-23 03:45:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 143K
描述
Small Signal MOSFET

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NTR2101PT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：0.95配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：8 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.7 A
最大漏极电流 (ID)：3.7 A最大漏源导通电阻：0.052 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.96 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTR2101PT1G 数据手册

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NTR2101P  
Small Signal MOSFET  
−8.0 V, −3.7 A, Single P−Channel, SOT−23  
Features  
• Leading Trench Technology for Low R  
http://onsemi.com  
DS(on)  
• −1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive  
• SOT−23 Surface Mount for Small Footprint (3 x 3 mm)  
• Pb−Free Package is Available  
V
R
Typ  
I Max  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
39 mW @ −4.5 V  
52 mW @ −2.5 V  
−8.0 V  
−3.7 A  
Applications  
79 mW @ −1.8 V  
• High Side Load Switch  
• DC−DC Conversion  
• Cell Phone, Notebook, PDAs, etc.  
P−Channel  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
−8.0  
8.0  
Unit  
V
V
DSS  
G
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
V
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
t ≤ 10 s T = 25°C  
I
−3.7  
−3.0  
0.96  
A
A
D
S
T = 70°C  
A
MARKING DIAGRAM &  
PIN ASSIGNMENT  
Power Dissipation  
(Note 1)  
t ≤ 10 s  
P
W
D
3
Drain  
3
Pulsed Drain Current  
tp = 10 ms  
I
−11  
A
DM  
1
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
−55 to  
150  
°C  
J
2
T
STG  
TR7 M G  
G
Source Current (Body Diode)  
I
S
−1.2  
A
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 21  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
260  
°C  
T
L
1
Gate  
2
(1/8″ from case for 10 s)  
Source  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
TR7  
M
G
= Specific Device Code  
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
Symbol  
Max  
160  
130  
Unit  
Junction−to−Ambient – Steady State  
Junction−to−Ambient − t ≤ 10 s  
R
°C/W  
q
JA  
(Note: Microdot may be in either location)  
R
q
*Date Code orientation may vary depending  
upon manufacturing location.  
JA  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 in sq pad size  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
(Cu area = 1.127 in sq [1 oz] including traces).  
NTR2101PT1  
SOT−23  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
NTR2101PT1G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
March, 2006 − Rev. 4  
NTR2101P/D  
12345

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NTR2101PT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTR2101PT1 ONSEMI

类似代替

 Small Signal MOSFET
PMV65XP,215 NXP

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Thin Film Chip Resistors
NTR25A1003CTR1KF NIC

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 		Thin Film Chip Resistors
NTR25A1021STRF NICHICON

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