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PMV65XPE

更新时间： 2024-09-17 11:16:07

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安世 - NEXPERIA		/
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15页	702K
描述
20 V, P-channel Trench MOSFETProduction

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PMV65XPE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.64
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	2.8 A	最大漏源导通电阻：	0.078 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
参考标准：	IEC-60134	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PMV65XPE 数据手册

PMV65XPE

20 V, P-channel Trench MOSFET

25 April 2014

Product data sheet

1. General description

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23

(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET

technology.

2. Features and benefits

Trench MOSFET technology

Very fast switching

Enhanced power dissipation capability: P_tot= 890 mW

ElectroStatic Discharge (ESD) protection 2 kV HBM

•

3. Applications

Relay driver

•

High speed line driver

High-side loadswitch

Switching circuits

4. Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

-20

Unit

V_DS

V_GS

I_D

drain-source voltage

gate-source voltage

drain current

T_j= 25 °C

-12

V_GS= -4.5 V; T_amb= 25 °C; t ≤ 5 s

V_GS= -4.5 V; I_D= -2.8 A; T_j= 25 °C

[1]

-3.3

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

mΩ

[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated, mounting pad for

drain 6 cm².

12 3 4 5 6 7...15

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