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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.73 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.27 V |
| JESD-609代码： | e3 | 最大非重复峰值正向电流： | 8 A |
| 元件数量： | 1 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最大输出电流： | 1 A | 最大重复峰值反向电压： | 20 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMEG2010AEB-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifierProduction |
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| PMEG2010AEH | NXP |
获取价格 |
1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers |
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| PMEG2010AEH | NEXPERIA |
获取价格 |
1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiersProduction |
|
| PMEG2010AEH-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V, 1 A very low VF Schottky barrier rectifierProduction |
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| PMEG2010AEJ | NXP |
获取价格 |
Low VCEsat (BISS) transistors |
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| PMEG2010AEJ | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V, 1 A very low V_F MEGA Schottky barrier rectifier in SOD323F packageProduction |
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| PMEG2010AEJ-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V, 1 A very low VF Schottky barrier rectifierProduction |
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| PMEG2010AEK | NXP |
获取价格 |
1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifier |
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| PMEG2010AEK,115 | NXP |
获取价格 |
PMEG2010AEK |
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| PMEG2010AET | NXP |
获取价格 |
1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers |
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