5秒后页面跳转
PMBTH10-T PDF预览

PMBTH10-T

更新时间: 2024-11-04 12:58:15
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体开关晶体管通用开关
页数 文件大小 规格书
7页 56K
描述
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal

PMBTH10-T 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.77
最大集电极电流 (IC):0.04 A基于收集器的最大容量:0.65 pF
集电极-发射极最大电压:25 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):60最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:0.4 W认证状态:Not Qualified
参考标准:CECC表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):650 MHzVCEsat-Max:0.5 V
Base Number Matches:1

PMBTH10-T 数据手册

 浏览型号PMBTH10-T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PMBTH10-T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PMBTH10-T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PMBTH10-T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PMBTH10-T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PMBTH10-T的Datasheet PDF文件第7页 
DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PMBTH10  
NPN 1 GHz general purpose  
switching transistor  
September 1995  
Product specification  
File under Discrete Semiconductors, SC14  

与PMBTH10-T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PMBTH10T/R ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 40MA I(C) | SOT-23
PMBTH10TRL NXP

获取价格

TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
PMBTH10TRL13 NXP

获取价格

TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
PMBTH10TRL13 YAGEO

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
PMBTH81 NXP

获取价格

PNP 1 GHz switching transistor
PMBTH81T/R ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 40MA I(C) | SOT-23
PMBTH81TRL YAGEO

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
PMBTH81TRL13 YAGEO

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
PMBTH81TRL13 NXP

获取价格

TRANSISTOR UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
PMBZ5226 NXP

获取价格

Voltage regulator diodes