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PMBZ5226B212

更新时间: 2024-01-07 06:17:57
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恩智浦 - NXP 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 167K
描述
DIODE 3.3 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diode

PMBZ5226B212 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.83
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.25 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:3.3 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL最大电压容差:5%
工作测试电流:20 mABase Number Matches:1

PMBZ5226B212 数据手册

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