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PMBZ5226BTRL13

更新时间: 2024-02-18 01:33:43
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 52K
描述
DIODE 3.3 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB, Voltage Regulator Diode

PMBZ5226BTRL13 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.29
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3膝阻抗最大值:1600 Ω
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.25 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:3.3 V最大反向电流:25 µA
表面贴装:YES技术:ZENER
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
电压温度Coeff-Max:最大电压容差:5%
工作测试电流:20 mABase Number Matches:1

PMBZ5226BTRL13 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
PMBZ5226B to PMBZ5257B  
Voltage regulator diodes  
Product specification  
2001 Feb 09  
Supersedes data of 1999 May 17  

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