5秒后页面跳转
PMBTH81 PDF预览

PMBTH81

更新时间: 2024-11-03 22:44:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 51K
描述
PNP 1 GHz switching transistor

PMBTH81 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT-23包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.85最大集电极电流 (IC):0.04 A
基于收集器的最大容量:0.85 pF集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):60
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):225
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:0.4 W
最大功率耗散 (Abs):0.4 W认证状态:Not Qualified
参考标准:CECC子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):600 MHzVCEsat-Max:0.5 V
Base Number Matches:1

PMBTH81 数据手册

 浏览型号PMBTH81的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PMBTH81的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PMBTH81的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PMBTH81的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PMBTH81的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PMBTH81的Datasheet PDF文件第7页 
DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PMBTH81  
PNP 1 GHz switching transistor  
September 1995  
Product specification  
File under Discrete Semiconductors, SC14  

PMBTH81 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BF660TRL NXP

功能相似

TRANSISTOR Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
MMBTH81 FAIRCHILD

功能相似

PNP RF Transistor

与PMBTH81相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PMBTH81T/R ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 40MA I(C) | SOT-23
PMBTH81TRL YAGEO

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
PMBTH81TRL13 YAGEO

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
PMBTH81TRL13 NXP

获取价格

TRANSISTOR UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
PMBZ5226 NXP

获取价格

Voltage regulator diodes
PMBZ5226B NXP

获取价格

Voltage regulator diodes
PMBZ5226B PHILIPS

获取价格

Zener Diode, 3.3V V(Z), 5%, 0.3W,
PMBZ5226B212 NXP

获取价格

DIODE 3.3 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Di
PMBZ5226B-T NXP

获取价格

DIODE 3.3 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB, Voltage Re
PMBZ5226BT/R NXP

获取价格

DIODE 3.3 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB, PLASTIC, S