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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.77 | 集电极-发射极最大电压： | 25 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 0.65 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBTH81 | NXP |
获取价格 |
PNP 1 GHz switching transistor |
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| PMBTH81T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 40MA I(C) | SOT-23 |
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| PMBTH81TRL | YAGEO |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN |
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| PMBTH81TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN |
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| PMBTH81TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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| PMBZ5226 | NXP |
获取价格 |
Voltage regulator diodes |
|
| PMBZ5226B | NXP |
获取价格 |
Voltage regulator diodes |
|
| PMBZ5226B | PHILIPS |
获取价格 |
Zener Diode, 3.3V V(Z), 5%, 0.3W, |
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| PMBZ5226B212 | NXP |
获取价格 |
DIODE 3.3 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Di |
|
| PMBZ5226B-T | NXP |
获取价格 |
DIODE 3.3 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB, Voltage Re |
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