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PMBFJ309,215

更新时间： 2024-11-01 15:48:07

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	134K
描述
N-channel silicon FET TO-236 3-Pin

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PMBFJ309,215 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	TO-236	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	6.97
其他特性：	LOW NOISE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	25 V	FET 技术：	JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：	2.5 pF	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PMBFJ309,215 数据手册

PMBFJ308; PMBFJ309;

PMBFJ310

T23

N-channel silicon field-effect transistors

Rev. 4 — 20 September 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Symmetrical N-channel silicon junction field-effect transistors in a SOT23 package.

CAUTION

This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken

during transport and handling.

1.2 Features and benefits

 Low noise

 Interchangeability of drain and source connections

 High gain.

1.3 Applications

 AM input stage in car radios

 VHF amplifiers

 Oscillators and mixers.

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

V_DS

drain-source voltage

25

V_GSoff

gate-source cut-off voltage

PMBFJ308

V_DS= 10 V; I_D= 1 A

1

2

6.5 V

4

6.5 V

PMBFJ309

PMBFJ310

12 3 4 5 6 7...15

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PMBFJ309,215 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PMBFJ310,215	NXP	完全替代	N-channel silicon FET TO-236 3-Pin
PMBFJ308,215	NXP	完全替代	N-channel silicon FET TO-236 3-Pin
PMBFJ308	NXP	完全替代	N-channel silicon field-effect transistors

与PMBFJ309,215相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PMBFJ309-T	NXP	获取价格	TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, FE
PMBFJ309T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 25V V(BR)DSS \| 12MA I(DSS) \| TO-236
PMBFJ309TRL	NXP	获取价格	TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal
PMBFJ309TRL	YAGEO	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon
PMBFJ309TRL13	YAGEO	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon
PMBFJ309TRL13	NXP	获取价格	TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal
PMBFJ310	NXP	获取价格	N-channel silicon field-effect transistors
PMBFJ310	PHILIPS	获取价格	Transistor,
PMBFJ310,215	NXP	获取价格	N-channel silicon FET TO-236 3-Pin
PMBFJ310T/R	PHILIPS	获取价格	Transistor

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